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GB/T 42709.7-2023

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半导体器件 微电子机械器件 第7部分:用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器

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适用范围
最新GB/T 42709.7-2023标准解读;本文件适用于MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器,明确了 MEMS体声波谐振器、滤波器和双 工器的术语、定义、符号、结构和测试方法等,有利于更好地指导相关行业从业人员进行产品开发、测试、 使用等工作。GB/T42709《半导体器件 微电子机械器件》拟由以下部分组成。 -第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的拉伸试验方法。 -第3部分:拉伸试验用的薄膜标准试验片。目的在于规定MEMS薄膜材料拉伸试验用试验片 的相关要求。 -第5部分:射频MEMS开关。目的在于规定射频MEMS开关的术语定义、特性要求、测试方 法等。 -第6部分:薄膜材料轴向疲劳试验方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的轴向疲劳试验 方法。 -第7部分:用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器。目的在于规定MEMS体 声波谐振器、滤波器和双工器的术语定义、特性要求、测试方法等。 一第8部分:薄膜拉伸特性测量的带材弯曲试验方法。目的在于规定用于测量薄膜拉伸特性的 带材弯曲试验方法。 -第9部分:MEMS晶圆键合强度试验方法。目的在于规定MEMS晶圆的键合强度试验方法。 -第11部分:悬空MEMS材料的线性热膨胀系数测试方法。目的在于规定悬空MEMS材料的 线性热膨胀系数测试方法。 -第工2部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法。目的在于规定MEMS薄 膜材料挠曲疲劳试验方法。 -第工3部分:MEMS结构粘附强度试验方法。目的在于规定MEMS结构的粘附强度试验 九/去0 O -第工6部分:MEMS薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。目的在于规定 MEMS薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法。 -第工9部分:电子罗盘。目的在于规定电子罗盘的术语定义、特性要求、测试方法等。 -第21部分:MEMS薄膜材料泊松比测试方法。目的在于规定MEMS薄膜材料的泊松比测试 方法。 -第22部分:柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法。目的在于规定MEMS导电薄膜材料的 机电性能拉伸试验方法。 -第26部分嗡攵沟槽和针结构的描述和试验方法。目的在于规定MEMS微沟槽和针结构的描 述和试验方法。 一第27部分:玻璃熔结结构的粘结强度MCT试验方法。目的在于规定玻璃熔结结构的粘结强 度的MCT试验方法。 -第29部分:室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法。目的在于规定MEMS器件的悬空导 电薄膜在室温下的机电松弛试验方法。 -第32部分:MEMS谐振器非线性振动测试方法。目的在于规定MEMS谐振器的非线性振动 性能测试方法。 -第35部分:柔性机电器件弯曲变形电特性测试方法。目的在于规定柔性机电器件的弯曲变形 状态电特性测试方法。 -第36部分:MEMS压电薄膜的环境及介电耐受试验方法。目的在于规定MEMS压电薄膜的 环境及介电耐受性能试验方法。 -第38部分:MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度试验方法。目的在于规定MEMS互连中金 属粉末膏体粘附强度的试验方法。 -第40部分:MEMS惯性冲击开关阈值测试方法。目的在于规定MEMS惯性冲击开关的阈值 测试方法。 半导体器件微电子机械器件 第7部分:用于射频控制和选择的 MEMS体声波滤波器和双工器 1范围 本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出 了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器 和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。
关联标准
暂无
修改单
暂无
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